Intel与Micron推出NAND闪存技术新基准

• 2011年12月06日11:26

 加州圣塔克拉拉和爱达荷州博伊西 2011-12-06(中国商业电讯)--Intel
公司和Micron Technology, Inc.公司(纳斯达克股票代码:MU)今日宣布
推出NAND闪存技术新基准 flash technology –
世界第一款20纳米、128Gb的多层单元(MLC)器件。这两家公司还宣布其64Gb、20纳米NAND器件已投入批量生产,进一步提高了该两家公司在NAND制程技术上的领导地位。 

    可在此处获取与该新闻同时发布的照片:

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    采用Intel和Micron合资的IM闪存技术 (IMFT) 公司开发的新款20纳米、
128Gb单片器件是业界第一只能存储1兆兆位(TB)数据的器件,在其仅仅指尖大小的空间内封装了8片裸片。新款20纳米、128Gb
MLC NAND器件的存储容量和性能是该两家公司现有20纳米、 64Gb
NAND器件的二倍。该 128Gb器件满足高速ONFI
3.0规范的要求,可达到333兆/秒(MT/s)的传输率,为客户提供一个更具成本效益的超薄,流线造型优美产品设计,例如平板电脑、智能手机和大容量固态硬盘(SSD)等。 

    “由于便携式设备体积变得越来越小、造型越来越优美,和服务器要求也越来越高,我们的客户希望Micron的创新存储技术和系统解决方案能应对这些挑战”,Micron公司NAND解决方案子公司副总裁Glen
Hawk说。“我们与Intel的合作将继续提供领先的NAND技术和专业知识,它们对建造这些系统是十分重要的”。 

    这两家公司还透露:它们在20纳米制程技术上取得成功的关键是由于采用了一种创新的单元结构,其比传统结构能容纳更大规模的单元。它们的20纳米NAND器件采用一种平面式单元结构–这在本行业是首次采用–以克服与先进制程技术伴随而来的内在困难,这使得其性能和可靠性与与上一代产品媲美。由于在NAND产品上集成了第一Hi-K/金属栅栈,这种平面式单元结构成功地突破了标准NAND浮动栅的比例瓶颈。 

    “非常高兴地看到因为我们的生产团队提供这些高容量、低成本、具有计算机质量的20纳米
NAND器件,Intel-Micron联合体继续在NAND技术上处于领先地位并获得多项第一”,Intel公司副总裁兼非挥发存储器解决方案子公司总经理Rob
Crooke说。“由于平面式单元结构和Hi-K/金属栅栈的使用,IMFT可继续提高我们NAND闪存解决方案的技术能力,能促进新产品、新服务和新封装类型的发展“。 

    大容量NAND闪存器件的需求受到三个相互关联的市场趋势的刺激:数据存储的增长、向云计算的转移、以及便携式设备的普及。因为数字内容不断地增加,用户期望数据可在众多设备之间存取,并且全部都能通过云计算机进行同步。为了有效地处理数据流,服务器需要存储NAND提供的高品质、大容量数据。随着数据存取的增长,移动设备的存储也不断地增长。高清晰度视频是需要大容量存储应用的例子之一,因为试图处理这类数据流可能给用户较差的体验。这些发展为高性能、小存储占用空间的器件提供了巨大的机会,无论是在使用这些内容的移动设备还是在提供这些存储的服务器中均是如此。 

    Intel和 Micron特别指出:它们的20纳米 64Gb
NAND闪存产品在12月份的批量生产在2012年能迅速过渡到128Gb器件上。128Gb
器件的样品可在一月份提供,在2012年上半年就能形成批量生产。该里程碑式的成就将进一步形成更密集和更佳的总体产量,并且能帮助该两公司的研发团队积累设计更复杂存储解决方案和优化未来技术的经验。 

    关于 Micron 

    Micron Technology,
Inc.是全球领先的先进半导体解决方案供应商之一。通过它遍布全球的运营,美光为先进的计算、用户、网络、嵌入式和移动产品生产和销售全套DRAM、
NAND 和
NOR闪存,以及其他创新的存储器技术、封装方案和半导体系统。美光的普通股在纳斯达克上市交易,代码是MU。欲了解有关美光科技公司的更多信息,请访问
www.micron.com 。 

    Micron Technology, Inc.
徽标位于 

    关于 Intel 

    Intel (纳斯达克股票代码:
INTC)公司是全球计算机创新界首屈一指的公司。该公司设计和创建的技术为全球计算机设备重要的基础。欲了解关于Intel公司更多的信息,请访问:newsroom.intel.com
或 blogs.intel.com。 

    Intel和Intel徽标是Intel Corporation在美国和其他国家的商标。
*所有其他名称商标均为各自所有者财产。 

    ©2011年Micron Technology, Inc.公司和Intel
Corporation公司版权所有。修改信息无需通知。Micron和Micron徽标是Micron
Technology, Inc.商标。本新闻稿包含有关20纳米、64Gb和128Gb
NAND器件生产的前瞻性陈述。实际情况或结果可能与前瞻性声明中包含的内容不同。请参考Micron和证券交易委员会定期发布的汇总文件,特别是Micron最新的10-K和10-Q表。这些文件包含并确定可能导致汇总文件中的内容与前瞻性陈述不同的重要因素(见“某些因素)。尽管我们认为前瞻性陈述中所反映的预期是合理的,但我们不能保证其未来结果、活动水平、性能或成就。 

    也 可访问Newscom、www.newscom.com或通过AP
PhotoExpress获取这些照片。 

    联系信息: Intel: 
    Deborah Paquin 
    For Intel 
    916-984-1921 
    debpaquin@strategiccom.biz 

    Dan Snyder 
    Intel Corporation 
    408-765-6398 
    daniel.s.snyder@intel.com 

    Micron: 
    Kiesha Cochrane 
    For Micron 
    503-471-6822 
    Kiesha.Cochrane@edelman.com 

    Dan Francisco 
    Micron Corporation 
    208-368-5584 
    dfrancisco@micron.com 

英特尔(Intel)与美光(Micron)合作推出了34纳米32Gb的多层单元(MLC)芯片,是业内首款小于40纳米的NAND闪存器件,据称在制程竞赛方面走在了东芝(Toshiba)、三星(Samsung)和其它厂商的前面。分析师对英特尔-美光的NAND声明有何看法?好消息:英特尔和美光在NAND闪存领域突破了1.00美元/GB的障碍。坏消息:时机不对。“NAND市场供应过剩,”Objective
Analysis的分析师Jim
Handy表示,“SanDisk最近表示,全年都将保持供过于求状态。我们预计目前的供应过剩局面将持续到2008年底。”2009年前景如何?“转向34纳米可能导致NAND市场继续供求过剩,持续时间可能长于Objective
Analysis在2007年12月的预测,当时我们预测供应过剩局面将持续到2009年年中。转向34纳米可能导致供应过剩局面再延长一个季度,”Handy警告说。另一方面,英特尔和美光在NAND领域取得了几个方面的技术领先地位。上述34纳米器件是由英特尔与美光的合资企业IM
Flash Technologies
LLC开发的。“双方表示他们在2006年进入该市场,当时采用的是72纳米技术,他们认为当时比竞争对手落后两年左右,”Handy表示。英特尔和美光“追上并超过了竞争对手,大约领先对手六个月。”英特尔和美光在其它方面也走在了前面。Handy表示:“采用172mm2裸片面积和300mm晶圆,英特尔和美光估计每片晶圆可以得到大约400个裸片,32Gb芯片的价格将略低于4.00美元,相当于大约0.99美元/GB。”“这款产品将使两家公司成为业内首次突破1.00美元/GB关口的公司,”他说,“要知道,目前的MLC
NAND价格徘徊在2.50美元/GB左右。该产品的价格相当于利用300mm晶圆生产的54纳米MLC芯片,或者利用200mm晶圆生产的45纳米MLC
NAND。”他们能否保持领先优势?“多数NAND厂商都计划今年提高300mm生产线的45纳米芯片产量,300mm生产线的45纳米MLC
NAND生产成本约为1.75美元/GB,”他说,“如果成本降到0.99美元/GB,只要NAND价格保持在其竞争对手的成本之上,则IM
Flash新推出的芯片预计可以实现令人瞩目的利润率。”

文章来源:中国科协网

25纳米技术NAND闪存问世

2月1日,英特尔公司和美光科技公司宣布推出世界上首个25纳米NAND技术——该技术能够增加智能手机、个人音乐与媒体播放器等流行消费电子产品,以及全新高性能固态硬盘的存储容量,提供更高的成本效益。

NAND闪存可用于存储消费电子产品中的数据和其它媒体内容,即使在电源关闭时也能保留信息。NAND制程尺寸的缩小,推动了该技术持续发展并不断出现新的用途。25纳米制程不仅是当前尺寸最小的NAND技术,也是全球最精密的半导体技术——这项技术成就将使当今的消费电子产品和计算设备能存储更多音乐、视频和其它类型数据。

该技术由英特尔和美光共同组建的NAND闪存合资企业IMFlashTechnologies生产,单个25纳米制程NAND设备的存储容量达到8GB,为当前小巧的消费电子产品提供大容量存储解决方案。其尺寸仅有167平方毫米——小到足以穿过光盘中间的孔,却能存储比光盘多10倍的数据(一张标准光盘可存储700MB数据)。

通过对NAND研发的专注和投资,英特尔和美光大约每18个月将NAND的密度提升一倍,从而带来尺寸更小、成本效益更高、容量更大的产品。IMFT从2006年就开始采用50纳米制程技术生产,紧接着在2008年推出34纳米制程技术。凭借今天公布的25纳米制程技术,英特尔和美光合作推出了业内最小的半导体光刻技术,从而进一步加强了在制程和制造领域的领先地位。

采用25纳米技术的8GB设备现已推出样品,预计将在2010年第二季度批量生产。针对消费电子产品制造商,该设备提供了密度最大、每个单元可存储2比特数据的多层式芯片,并且支持符合行业标准的薄型小尺寸封装,可将多个8GB设备封装在一起,从而提高存储容量。与上一代制程相比,全新25纳米8GB设备可将封装的芯片数量减少一半,不仅实现了尺寸更小、密度更高的设计,还提高了成本效益。例如,组成一个256GB的固态硬盘只需32个25纳米NAND芯片(之前则需要64个这样的芯片),一个32GB的智能手机只需要4个这样的芯片,而16GB的闪存卡只需要2个。(来源:天极网责任编辑:陈增光)

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